KMBTA05 Todos los transistores

 

KMBTA05 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMBTA05
   Código: 1H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

KMBTA05 Datasheet (PDF)

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KMBTA05

SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA05 (KMBTA05)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features Collector Current Capability IC=0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=60V1 2 Driver transistor+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collecto

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KMBTA05

SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA06 (KMBTA06)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features For Switching and Amplifier Applications Complementary to MMBTA561 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO

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KMBTA05

SMD Type TransistorsNPN TransistorsMMBTA45 (KMBTA45)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High Collector-Emitter Voltage1 2+0.02+0.1 Complement to MMBTA93 0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.21. Base2. Emitter3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 400 Collecto

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