2SAR553R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SAR553R

Código: MG

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 320 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 22 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SC96

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2SAR553R datasheet

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2SAR553R

2SAR553R Datasheet PNP -2.0A -50V Middle Power Transistor lOutline TSMT3 Parameter Value Collector VCEO -50V Base IC -2.0A Emitter 2SAR553R lFeatures (SC-96) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR553R 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V(Max.) (IC/IB= -700mA/ -35mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplications Moto

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2SAR553R

2SAR553P FRA Datasheet Middle Power Transistor (-50V / -2A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1) Low saturation voltage VCE(sat) = -400mV (Max.) (IC/ IB=-700mA/-35mA) 2) High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITC

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2SAR553R

2SAR553P HZG Middle Power Transistor (-50V / -2A) Datasheet lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat) = -400mV (Max.)(IC/ IB=-700mA/-35mA) 2)High speed switching 3)AEC-Q101 Qualified lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING

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2SAR553R

2SAR553P Data Sheet PNP -2.0A -50V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -50V Base IC Collector -2.0A Emitter 2SAR553P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR553P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V(Max.) (IC/IB= -700mA/ -35mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplica

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