2N6712 Todos los transistores

 

2N6712 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6712
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N6712 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  central
 2n6716 2n6717 2n6718 2n6728 2n6729 2n6730.pdf pdf_icon

2N6712

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:63K  central
 2n6714 2n6715 2n6726 2n6727.pdf pdf_icon

2N6712

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. Size:27K  diodes
 2n6716 2n6717 2n6718.pdf pdf_icon

2N6712

NPN SILICON PLANAR 2N67162N6717MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6718ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T 8 IT DITI I I I II V 8 V I I V I II i V 8 V I I

 9.4. Size:26K  diodes
 2n6714 2n6715.pdf pdf_icon

2N6712

NPN SILICON PLANAR2N6714MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6715ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

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History: 2SC3110 | 2N6364

 

 
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