KZT851 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KZT851
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KZT851
KZT851 Datasheet (PDF)
kzt851.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsFZT851 (KZT851)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Collector Current Capability IC=6A Collector Emitter Voltage VCEO=60V Complementary to FZT9511 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ratin
kzt853.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsFZT853 (KZT853)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Collector Current Capability IC=6A Collector Emitter Voltage VCEO=100V Complementary to FZT9531 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rati
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