KZT851 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KZT851

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 130 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT223

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KZT851 datasheet

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KZT851

SMD Type Transistors NPN Transistors FZT851 (KZT851) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 Collector Current Capability IC=6A Collector Emitter Voltage VCEO=60V Complementary to FZT951 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ratin

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KZT851

SMD Type Transistors NPN Transistors FZT853 (KZT853) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 Features 4 Collector Current Capability IC=6A Collector Emitter Voltage VCEO=100V Complementary to FZT953 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rati

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