ISA1602AM1 Todos los transistores

 

ISA1602AM1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISA1602AM1
   Código: .MF_.ME
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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ISA1602AM1 Datasheet (PDF)

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ISA1602AM1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORISA1235AC1 ISA1602AM1FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING UNITmmDESCRIPTION ISA1235AC1 ISA1602AM1 is super mini ISA1235AC1 ISA1602AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.12.8These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.4251.5 0.65 0.65amplify applicati

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ISA1602AM1

SMALL-SIGNAL TRANSISTORISA1530AC1 ISA1603AM1. FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEOUTLINE DRAWING UNITmmDESCRIPTION ISA1530AC1 ISA1603AM1 is super mini ISA1530AC1 ISA1603AM1 package resin sealed silicon PNP epitaxial type transistor. 2.12.8These are designed for low frequency voltage 0.425 1.25 0.4251.5 0.65 0.65amplify appli

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History: 2SB1055 | BLX61 | TIP34D | 3DG639 | MJE5170

 

 
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