ISA1993AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISA1993AS1
Código: A93
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: SC72
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar ISA1993AS1
ISA1993AS1 Datasheet (PDF)
isa1993as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1993AS1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPE(FRAME TYPE)DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1993AS1 is mini package resin sealed 4.0 silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . 0.1 0.45 FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. 2.5 2
isa1995as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1995AS1 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPE(FRAME TYPE)DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1995AS1 is mini package resin sealed 4.0 silicon PNP epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application. . 0.1 0.45 FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. 2.5 2
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History: HSE306
History: HSE306
Liste
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