IMH14AFRA Todos los transistores

 

IMH14AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH14AFRA
   Código: H14
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC74

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IMH14AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  rohm
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IMH14AFRA

UMH14N / IMH14A UMH14NFHA / IMH14AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 47kW UMH14NFHA IMH14AFRA UMH14N IMH14A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit Collect

 8.1. Size:41K  rohm
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IMH14AFRA

(94S-777-A144T

 9.1. Size:197K  chenmko
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IMH14AFRA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHIMH14GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) * High saturatio

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History: 2SB92

 

 
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