IMH1AFRA Todos los transistores

 

IMH1AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH1AFRA
   Código: H1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
   Paquete / Cubierta: SC74

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IMH1AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1337K  rohm
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IMH1AFRA

EMH1FHA / UMH1NFHA / IMH1AFRA EMH1 / UMH1N / IMH1A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMH1 UMH1N EMH1FHA UMH1NFHA R2 (SC-107C) 22kW SOT-353 (SC-88) SMT6 (

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IMH1AFRA

UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMG1N / UMH1N / UMH5N / FMG1A / IMH1A / IMH5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMG1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V 0.1Min. 40 ROHM UMT5 Input voltage

 9.2. Size:65K  rohm
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IMH1AFRA

EMH1 / UMH1N / IMH1A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH1 / UMH1N / IMH1A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT UMH1N package. 1.25 Circuit schematic 2.1 EMH1 / UMH1N IMH1A (3) (2) (1) (4) (5) (6) 0.1Min. R1 R2 R1 R2 ROHM UMT6 Each lead has same dimensions EIAJ SC-88 R2 R2 R1 R1 (4) (5) (6)

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