KZT122 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KZT122  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 200 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: SOT223

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KZT122 datasheet

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KZT122

SMD Type IC SMD Type Transistors Surface Mount NPN Silicon Power Darlington Transistor KZT122 (CZT122) SOT-223 Unit mm Features 3.50+0.2 6.50+0.2 -0.2 -0.2 High current (max. 5A). Low voltage (max. 100V). +0.2 0.90-0.2 3.00+0.1 -0.1 +0.3 7.00-0.3 4 1Base 2 Collector 1 2 3 0.70+0.1 3Emitter -0.1 2.9 4.6 4 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rat

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KZT122

SMD Type IC SMD Type Transistors Surface Mount PNP Silicon Power Darlington Transistor KZT127 (CZT127) SOT-223 Unit mm Features 3.50+0.2 6.50+0.2 -0.2 -0.2 High current (max. 5A). Low voltage (max. 100V). +0.2 0.90-0.2 3.00+0.1 -0.1 +0.3 7.00-0.3 4 1Base 2 Collector 1 2 3 0.70+0.1 3Emitter -0.1 2.9 4.6 4 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

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