2N6729
. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6729
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2
W
Tensión colector-base (Vcb): 80
V
Tensión colector-emisor (Vce): 80
V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2
A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150
°C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50
MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta:
TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N6729
2N6729
Datasheet (PDF)
..2. Size:27K diodes
2n6728 2n6729 2n6730.pdf
PNP SILICON PLANAR 2N67282N6729MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6730ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 IT II V I V 8 V II i V I V 8 V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T 8 IT DITI I I I II V 8 V I I V I II i V 8 V I I
9.2. Size:49K diodes
2n6726 2n6727.pdf
PNP SILICON PLANAR2N6726MEDIUM POWER TRANSISTORS2N6727ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
9.3. Size:77K secos
2n6727.pdf
2N6727 -1.5 A, -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 General Purpose Switching Application G H EmitterBase CollectorJA DMillimeterREF. BMin. Max.CollectorA 4.40 4.70B 4.30 4.70KC 12.70 -D 3.30 3.81E 0.36 0.56
9.4. Size:27K zetex
2n6724.pdf
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER2N6724DARLINGTON TRANSISTORS2N6725ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i I E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T IT DITI I I II V V I I V I II i V V I I V I
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