TFN2412 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TFN2412
Código: C4
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT23
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TFN2412 Datasheet (PDF)
tfn2412.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/5TFN2412 50V 150mA NPN TRANSISTOR Description The TFN2412 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. Low Cob, typically Cob=2.0pF Complementary to TFN1037 Pb-free packageSymbol OutlineTFN2412 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings
tfn2411.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 2/6Characteristics (Ta=25C)Symbol Min. Typ. Max. Unit Test ConditionsBV 75 - - V I =10A CBO CBV 40 - - V I =10mA CEO CBV 6 - - V I =10A EBO EI - - 10 nA V =60V CBO CBI - - 10 nA V =60V, V =-3V CEX CE BEI - - 10 nA V =3V EBO EB*V 1 - - 0.5 V I =380mA, I =10mA CE(sat) C B*V 2 - - 0.4 V I =150mA, I =15mA CE(sat) C B*
tfn2444.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTD Page No: 1/5 TFN2444 Features The TFN2444 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Complementary to BTB1590N3 Pb-free package Symbol OutlineTFN2444 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
