TSD2150A Todos los transistores

 

TSD2150A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSD2150A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89 TO92
 

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TSD2150A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  taiwansemi
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TSD2150A

TSD2150A Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 TO-92 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 80V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.1 @ IC / IB = 1A / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1424A T

 9.1. Size:211K  taiwansemi
 tsd2118cp.pdf pdf_icon

TSD2150A

TSD2118 Low Vcesat NPN Transistor TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base (DPAK) 2. Collector BVCBO 50V 3. Emitter BVCEO 20V IC 5A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = 4A / 100mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1412 TSD2118CP RO TO-252 2.5Kpcs / 13 Reel Stru

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History: D62T3575 | 2N5691

 

 
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