TSB1132CY Todos los transistores

 

TSB1132CY . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSB1132CY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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TSB1132CY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  taiwansemi
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TSB1132CY

TSB1132 Low Vcesat PNP Transistor SOT-89 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCBO -40V 2. Collector 3. Emitter BVCEO -32V IC -1A VCE(SAT) -0.15V @ IC / IB = -0.5A / -50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.15 @ IC / IB = --.5A / -50mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1132CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 R

 9.1. Size:307K  taiwansemi
 tsb1184cp.pdf pdf_icon

TSB1132CY

TSB1184 Low Vcesat PNP Transistor TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (DPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO -40V 3. Emitter BVCEO -30V IC -3A VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1184CP RO TO-252 2.5Kpcs

 9.2. Size:307K  taiwansemi
 tsb1184acp.pdf pdf_icon

TSB1132CY

TSB1184A Low Vcesat PNP Transistor TO-252 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (DPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO -50V 3. Emitter BVCEO -50V IC -3A VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1184ACP RO TO-252 2.5Kpc

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