TSB1184ACP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSB1184ACP

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO252

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TSB1184ACP datasheet

 ..1. Size:307K  taiwansemi
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TSB1184ACP

TSB1184A Low Vcesat PNP Transistor TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (DPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO -50V 3. Emitter BVCEO -50V IC -3A VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1184ACP RO TO-252 2.5Kpc

 7.1. Size:307K  taiwansemi
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TSB1184ACP

TSB1184 Low Vcesat PNP Transistor TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (DPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO -40V 3. Emitter BVCEO -30V IC -3A VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.3V @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1184CP RO TO-252 2.5Kpcs

 9.1. Size:191K  taiwansemi
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TSB1184ACP

TSB1132 Low Vcesat PNP Transistor SOT-89 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCBO -40V 2. Collector 3. Emitter BVCEO -32V IC -1A VCE(SAT) -0.15V @ IC / IB = -0.5A / -50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.15 @ IC / IB = --.5A / -50mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1132CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 R

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