A1317 Todos los transistores

 

A1317 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1317
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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A1317 datasheet

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A1317

A1317 PNP silicon APPLICATION Loe frequency Amplifier Application. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -60 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -6 V Collector current IC -200 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage Te

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A1317

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A1317

A1317S PNP Silicon PNP Transistors APPLICATION Frequency Applications. MAXIMUM RATINGS Ta=25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector-base voltage VCEO -50 V Collector-emitter voltage VEBO -6 V Emitter-base voltage Ic -0.2 A Collector current Icp -0.4 A Pc 0.3 Collector Power Dissipation W Tj 150 Junction Tem

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History: 2SA508 | LDTA144EET1G | A1504 | 2SA964A

 

 

 


 
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