A1317 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A1317
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar A1317
A1317 Datasheet (PDF)
a1317.pdf
A1317 PNP silicon APPLICATIONLoe frequency Amplifier Application.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -6 VCollector current IC -200 mACollector Power Dissipation PC 300 mWJunction Temperature TJ 150Storage Te
a1317s.pdf
A1317S PNP SiliconPNP Transistors APPLICATIONFrequency Applications. MAXIMUM RATINGSTa=25PARAMETER SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector-base voltageVCEO -50 VCollector-emitter voltageVEBO -6 VEmitter-base voltage Ic -0.2 ACollector currentIcp -0.4 APc 0.3Collector Power Dissipation WTj 150Junction Tem
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History: 2N6245
History: 2N6245
Liste
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