A817 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A817

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 14 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO92L

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A817 datasheet

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A817

A817 PNP silicon APPLICATION General Purpose Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -0.4 A Collector Power Dissipation PC 0.8 W Junction Te

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A817

2SA817 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA817 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC1627. Suitable for driver of 20 25 watts audio amplifiers. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEB

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A817

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A817

New Product SiA817EDJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET Qg Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) (Typ.) SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Low On-Resistance - 30 0.092 at VGS = - 3.7

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