A844 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A844

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TO92

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A844 datasheet

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A844

A844 PNP silicon APPLICATION General Purpose Amplifier Applications.. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -55 V Collector-emitter voltage VCEO -55 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -100 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage

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A844

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A844

2SA844 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency amplifier Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SA844 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 55 V Collector to emitter voltage VCEO 55 V Emitter to base voltage VEBO 5 V Collector current IC 100 mA Emitter current IE 100 mA Collector p

 0.3. Size:77K  secos
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A844

2SA844 -0.1A , -55V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High DC Current Gain G H Low Frequency Amplifier Emitter Collector Base J CLASSIFICATION OF hFE A D Millimeter REF. Min. Max. Product-Rank 2SA844-C 2SA844-D 2SA844-E A 4.40 4

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