HSBD138 Todos los transistores

 

HSBD138 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBD138
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSBD138 Datasheet (PDF)

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HSBD138

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD138 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD138

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD135 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD137 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD138

NPN SILICON TRANSIST OR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD139 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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History: 2SA1480E | 2SC2959 | MUN5116DW1T1G | 2N1196 | 2SA909 | 2N4355

 

 
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