HSBD176 Todos los transistores

 

HSBD176 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBD176
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSBD176 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  shantou-huashan
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HSBD176

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD176 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD176

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD178 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 8.2. Size:123K  shantou-huashan
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HSBD176

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD179 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 8.3. Size:122K  shantou-huashan
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HSBD176

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD175 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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History: ZTX302M | NSVF4009SG4

 

 
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