HC8050 Todos los transistores

 

HC8050 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HC8050
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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HC8050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  shantou-huashan
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HC8050

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation

 0.1. Size:130K  shantou-huashan
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HC8050

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8050S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation

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History: SGSF461 | SFT152 | BD200 | LDTA143TM3T5G | DWC305 | 2SC5100 | NTE2410

 

 
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