HEP32C Todos los transistores

 

HEP32C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HEP32C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HEP32C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:65K  shantou-huashan
 hep32-a-b-c.pdf pdf_icon

HEP32C

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R HEP32 Series Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C APPLICATIONS Mediu Power Linear switching Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220AB TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature

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History: CTN493

 

 
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