HX3199 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HX3199
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: TO92S
Búsqueda de reemplazo de HX3199
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HX3199 datasheet
hx3199.pdf
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HX3199 APPLICATIONS Small power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92S Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation
Otros transistores... HEP41C, HEP42C, HM28S, HS733, HS945, HX1267, HX128M, HX2785, 2SC2073, HX3904, HX3906, HX789A, SFT1202E, SFT1202TLE, SFT2010, SFT2012, SFT2014
History: PBSS4260PAN | TFN1590
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802

