2N736A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N736A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO18
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2N736A datasheet
2n7368.pdf
TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/622 Devices Qualified Level JAN 2N7368 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T
2n7369.pdf
TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/621 Devices Qualified Level JAN 2N7369 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T
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History: 2N736 | ESM7009 | 2N734
History: 2N736 | ESM7009 | 2N734
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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