SDT96304 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDT96304
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 16
Encapsulados: TO204
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SDT96304 datasheet
sdt96304.pdf
SDT96304 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 Base 2 Emitter Case - Collector Parameter Test Conditions Min. Typ. M
sdt96305.pdf
SDT96305 MECHANICAL DATA Dimensions in mm NPN SILICON POWER TRANSISTOR 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) FEATURES Low saturation voltages. High current gain at 40A. (20 Typ.) Hermetic metal package. 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) APPLICATIONS 12.70 (0.50) High power sw
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History: SBSP52T1G
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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