2N741 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N741
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO18
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2N741 datasheet
jansr2n7411.pdf
JANSR2N7411 Formerly FSL9110R4 2.5A, -100V, 1.30 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFET Features Description 2.5A, -100V, rDS(ON) = 1.30 The Discrete Products Operation of Intersil Corporationhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si
jansr2n7410.pdf
JANSR2N7410 Formerly FSL110R4 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, March 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
Otros transistores... 2N736A , 2N736B , 2N738 , 2N738A , 2N739 , 3CA200B , 2N740 , 2N740A , BD140 , 2N741A , 2N742 , 2N742A , 2N743 , 2N743-46 , 2N743-51 , 2N743A , 2N744 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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