MRF261 Todos los transistores

 

MRF261 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF261

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 175 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO220

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MRF261 datasheet

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MRF261

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF261 www.eleflow.com High band/VHF FM power transistor MRF261 Description MRF261 is designed as 10W, 5.2dB, 12.5V, 136-175MHz, TO220 high band/VHF FM transistors. Maximum Ratings at TU = 25 Symbol Test Conditions Characteristics Units V BVCES IC=10 mA Max. 36 V BVCEO IC=30 mA Max. 18 V BVEBO IE=5 mA Max. 4 A IC Max. 2 W Ptot Max. 30

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MRF261

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF2628/D The RF Line NPN Silicon MRF2628 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt VHF large signal power amplifiers in commercial and industrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz Performance 15 W 136 220 MHz Output Power = 15 Watts RF POWER Power Gain = 12 dB Min TRA

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MRF261

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF2628/D The RF Line NPN Silicon MRF2628 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt VHF large signal power amplifiers in commercial and industrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz Performance 15 W 136 220 MHz Output Power = 15 Watts RF POWER Power Gain = 12 dB Min TRA

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MRF261

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