MRF891S Todos los transistores

 

MRF891S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF891S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 960 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: 319A-02
 

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MRF891S Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF891/DThe RF LineNPN SiliconMRF891RF Power TransistorsMRF891S. . . designed for 24 volt UHF largesignal, commonemitter amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of800960 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics5.0 W, 900 MHzOutput Power = 5.0

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ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF891www.eleflow.com 1

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF894/DThe RF LineNPN SiliconMRF894RF Power Transistor. . . designed for 24 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applicationsin industrial and commercial FM equipment operating in the range of804960 MHz. Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics30 W, 900 MHzOutput Power = 30 WattsRF POWER

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