MS2202 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS2202  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1215 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: M155

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MS2202 datasheet

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MS2202

140 COMMERCE DRIVE MONTGOMERYVILLE, PA 18936-1013 PHONE (215) 631-9840 FAX (215) 631-9855 MS2202 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS Features Features 1025 - 1150 MHz 35 VOLTS INPUT MATCHING POUT = 2.0 WATTS GP = 9.0 dB MINIMUM LOW THERMAL RESISTANCE COMMON BASE CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS2202 is

 9.1. Size:60K  njs
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MS2202

 9.2. Size:318K  hgsemi
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MS2202

HG RF POWER TRANSISTOR MS2204 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Features Features 1090 MHz 18 VOLTS POUT = 0.6 WATTS GP = 10.8 dB MINIMUM CLASS A OPERATION INFINITE VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS COMMON EMITTER CONFIGURATION DESCRIPTION DESCRIPTION The MS2204 is a common emitter, silicon NPN, microwave transistor

Otros transistores... MRF899, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, MS1329, MS1501, MS1649, A1941, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, MSA1162GT1G, MSB1218A-RT1, MSB1218A-RT1G, MSB92ASWT1G