MT4S300U Todos los transistores

 

MT4S300U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT4S300U
   Código: P3
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 6 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 22500 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT343
     - Selección de transistores por parámetros

 

MT4S300U Datasheet (PDF)

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MT4S300U

MT4S300U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300U Unit:mm UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES Low Noise Figure :NF=0.55dB(Typ.) (@f=2GHz) High Gain :|S21e|2=16.9dB(Typ.) (@f=2GHz) 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits Marking 4 3 1. Collector P 2. Emitter 3. Base 4. Emitter

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MT4S300U

MT4S301U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S301U Unit:mm UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES Low Noise Figure :NF=0.57dB(Typ.) (@f=2GHz) High Gain :|S21e|2=18.1dB(Typ.) (@f=2GHz) 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits Marking 4 3 1. Collector P 4 2. Emitter 3. Base 4. Emitter 1

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History: HUN2215 | SGSIF444 | BD536K | PN4142 | BD508 | BD662K | HTIP117

 

 
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