MT4S300U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MT4S300U  📄📄 

Código: P3

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 6 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 22500 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT343

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MT4S300U datasheet

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MT4S300U

MT4S300U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300U Unit mm UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES Low Noise Figure NF=0.55dB(Typ.) (@f=2GHz) High Gain S21e 2=16.9dB(Typ.) (@f=2GHz) 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits Marking 4 3 1. Collector P 2. Emitter 3. Base 4. Emitter

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MT4S300U

MT4S301U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S301U Unit mm UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES Low Noise Figure NF=0.57dB(Typ.) (@f=2GHz) High Gain S21e 2=18.1dB(Typ.) (@f=2GHz) 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits Marking 4 3 1. Collector P 4 2. Emitter 3. Base 4. Emitter 1

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