MPQ3762 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPQ3762  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO116

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MPQ3762 datasheet

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MPQ3762

Quad Transistors TO-116 Case (14 Pin DIP) TC (@ 25oC)=3.0 Watts Total ( 4 Die Equal Power) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB hFE @ IC VCE (SAT ) @ IC Cob fT NF tOFF COMMENTS PIN Typ CONFIG.** (V) (V) (V) (nA) (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MIN MIN MAX MIN MAX MAX MIN MAX MPQ2222 NPN AMPL/SWITCH 60 40 5.0 50 50 30 300 0.40 150 8.0 200 - - - - 4X 2N2222

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MPQ3762

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMPQ3725/D Quad Core Driver MMPQ3725 Transistor 1 16 NPN Silicon Motorola Preferred Device 2 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9 16 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 751B 05, STYLE 4 SO 16 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector Emitter Voltage VCES 60 Vdc Emitter Base Voltage VEB 5.0

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MPQ3762

MPQ3798 MPQ3799 PNP SILICON QUAD TRANSISTOR TO-116 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ3798, MPQ3799 types are comprised of four independent Silicon PNP Transistors mounted in a 14 PIN DIP, designed for low level and low noise applications. MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL MPQ3798 MPQ3799 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 60 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 4

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MPQ3762

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