BDS14SMD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDS14SMD
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 43.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO276AB
Búsqueda de reemplazo de BDS14SMD
BDS14SMD Datasheet (PDF)
bds14smd.pdf
BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES4.610.60.8FEATURES3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGESDia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME
bds14smd05.pdf
BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES4.610.60.8FEATURES3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGESDia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME
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History: 2SD1622U | KSR2211
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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