BDS17XSMD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BDS17XSMD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 43.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO276AB

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDS17XSMD

BDS17XSMD Datasheet (PDF)

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BDS16X BDS16XSMD BDS16XSMD05BDS17X BDS17XSMD BDS17XSMD05MECHANICAL DATADimensions in mmSILICON NPN EPITAXIAL BASE4.610.6IN TO220 METAL AND0.8SMD CERAMIC SURFACE MOUNT3.6PACKAGESDia.FEATURES1 2 3 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVELS1.0 FULLY ISOLATED (METAL VERSION)2.54 2.

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BDS16 BDS16SMD BDS16SMD05BDS17 BDS17SMD BDS17SMD05MECHANICAL DATASILICON NPN EPITAXIAL BASEDimensions in mmIN TO220 METAL ANDSMD CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGESFEATURES HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (METAL VERSION)APPLICATIONS POWER LINEAR AND SWITCHINGTO220M

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