2N779 Todos los transistores

 

2N779 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N779
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 320 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2N779 Datasheet (PDF)

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History: 2SD234R | 40006 | BDS10N1A | BCW14K | 2SD973A | DRAF123J | 2SD181

 

 
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