2SC2625B Todos los transistores

 

2SC2625B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC2625B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3P

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2SC2625B datasheet

 ..1. Size:238K  nell
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2SC2625B

RoHS 2SC2625B RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products Silicon NPN triple diffusion planar transistor (High voltage switching transistor) 10A/400V/80W 15.6 0.4 4.8 0.2 9.6 2.0 0.1 3.2 0,1 TO-3P(B) 2 3 FEATURES +0.2 +0.2 0.65 1.05 -0.1 -0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO 5.45 0.1 5.45 0.1 1.4 Satisfactory linearity of foward cur

 7.1. Size:129K  mospec
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2SC2625B

A A A

 7.2. Size:1281K  cn sps
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2SC2625B

2SC2625T4TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Switching regulators Ultrasonic generators High frequency inverters General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 450 V

 7.3. Size:174K  cn sptech
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2SC2625B

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC2625 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Switching regulators Ultrasonic generators High frequency inverters General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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