2SC2983-Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2983-Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO252
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2SC2983-Y datasheet
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2SC2983 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2983 Power Amplifier Applications Unit mm Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency fT = 100 MHz (typ.) Complementary to 2SA1225 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Collector-emitter voltage VCEO 160 V Emitter-ba
2sc2983.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2983 TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE High Transition Frequency 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage
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History: 2SC2923-220F | 2SC2983-O | S8050W-L
History: 2SC2923-220F | 2SC2983-O | S8050W-L
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Liste
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