2SC3279-M Todos los transistores

 

2SC3279-M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3279-M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC3279-M

 

2SC3279-M Datasheet (PDF)

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2SC3279-LMCCTM Micro Commercial Components2SC3279-M20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 2SC3279-NPhone: (818) 701-49332SC3279-PFax: (818) 701-4939Features High DC Current Gain and excellent hFE LinearityNPN Siliconh =140-600 (V =1.0V, I =0.5A)FE(1) CE ChFE(2) =70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A)Epitaxial Transistors E

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2SC3279-LMCCTM Micro Commercial Components2SC3279-M20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 2SC3279-NPhone: (818) 701-49332SC3279-PFax: (818) 701-4939Features High DC Current Gain and excellent hFE LinearityNPN Siliconh =140-600 (V =1.0V, I =0.5A)FE(1) CE ChFE(2) =70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A)Epitaxial Transistors E

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2SC3279-LMCCTM Micro Commercial Components2SC3279-M20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 2SC3279-NPhone: (818) 701-49332SC3279-PFax: (818) 701-4939Features High DC Current Gain and excellent hFE LinearityNPN Siliconh =140-600 (V =1.0V, I =0.5A)FE(1) CE ChFE(2) =70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A)Epitaxial Transistors E

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2SC3279-LMCCTM Micro Commercial Components2SC3279-M20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 2SC3279-NPhone: (818) 701-49332SC3279-PFax: (818) 701-4939Features High DC Current Gain and excellent hFE LinearityNPN Siliconh =140-600 (V =1.0V, I =0.5A)FE(1) CE ChFE(2) =70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A)Epitaxial Transistors E

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History: 2SA1036KGP | BCX56-10T | BC463 | CH3904GP-A

 

 
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