2SC5245A-4-TL-E Todos los transistores

 

2SC5245A-4-TL-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5245A-4-TL-E
   Código: MN
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT323

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2SC5245A-4-TL-E Datasheet (PDF)

 4.1. Size:236K  onsemi
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2SC5245A-4-TL-E
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Ordering number : ENA1074A2SC5245ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCPFeatures Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) High gain 2 : S21e =10dB typ (f=1.5GHz) High cut-off frequency : fT=8GHz typ Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) : fT=3.5GHz typ : S21e =5.5dB typ (f=1.5GHz)

 6.1. Size:270K  sanyo
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Ordering number : ENA1074 2SC5245ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF to S-Band Low-Noise Amplifier2SC5245AOSC ApplicationsFeatures Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). High gain : S21e2=10dB typ (f=1.5GHz). High cut-off frequency : fT=8GHz typ. Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1

 7.1. Size:155K  sanyo
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Ordering number:EN5184ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5245UHF to S-Band Low-Noise Amplifier,OSC ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).unit:mm: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).2059B2 High gain : S21e =10dB typ (f=1.5GHz).[2SC5245] High cutoff frequency : fT=11GHz typ.0.3 Low-voltage, low-current operation0.

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