2SC5245A-4-TL-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5245A-4-TL-E
Código: MN
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.45 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT323
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2SC5245A-4-TL-E datasheet
2sc5245a-4.pdf
Ordering number ENA1074A 2SC5245A RF Transistor http //onsemi.com 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single MCP Features Low-noise NF=0.9dB typ (f=1GHz) NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) High gain 2 S21e =10dB typ (f=1.5GHz) High cut-off frequency fT=8GHz typ Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) fT=3.5GHz typ S21e =5.5dB typ (f=1.5GHz)
2sc5245a.pdf
Ordering number ENA1074 2SC5245A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to S-Band Low-Noise Amplifier 2SC5245A OSC Applications Features Low-noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). High gain S21e 2=10dB typ (f=1.5GHz). High cut-off frequency fT=8GHz typ. Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1
2sc5245.pdf
Ordering number EN5184A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5245 UHF to S-Band Low-Noise Amplifier, OSC Applications Features Package Dimensions Low noise NF=0.9dB typ (f=1GHz). unit mm NF=1.4dB typ (f=1.5GHz). 2059B 2 High gain S21e =10dB typ (f=1.5GHz). [2SC5245] High cutoff frequency fT=11GHz typ. 0.3 Low-voltage, low-current operation 0.
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History: 3DD101E
History: 3DD101E
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Liste
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