2SC5374A-TL-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5374A-TL-E
Código: NA
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: SOT416
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC5374A-TL-E
2SC5374A-TL-E Datasheet (PDF)
2sc5374a.pdf
Ordering number : ENA1090 2SC5374ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Band OSC,2SC5374AHigh-Frequency Amplifier ApplicationsFeatures High gain : S21e2=10.5dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=5.2GHz typ.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-B
2sc5374a.pdf
Ordering number : ENA1090A2SC5374ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 100mA, fT=5.2GHz, NPN Single SMCPFeatures High gain 2 : S21e =10.5dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=5.2GHz typSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 10 VEmit
2sc5374.pdf
Ordering number:EN5535ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5374VHF to UHF Band OSC,High-Frequency Amplifiers ApplicationsFeatures Package Dimensions2 High gain : S21e =10.5dB typ (f=1GHz).unit:mm High cutoff frequency : fT=5.2GHz typ.2106A[2SC5374]0.750.30.60 to 0.10.20.10.5 0.51.61 : Base2 : Emitter3 : CollectorSANYO : SMCPSpec
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History: 2SB1152 | 2SA1468
Liste
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