2SC5566-TD-E Todos los transistores

 

2SC5566-TD-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5566-TD-E
   Código: FC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SC5566-TD-E Datasheet (PDF)

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2SC5566-TD-E

Ordering number:ENN6307APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA2013/2SC5566DC/DC Converter ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit:mm2038AFeatures [2SA2013/2SC5566]4.5 Adoption of FBET and MBIT processes.1.51.6 High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. Hi

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Ordering number : ENN6307B2SA2013 / 2SC5566PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA2013 / 2SC5566DC / DC Converter ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.Features Adoption of FBET and MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall packag

 7.3. Size:358K  onsemi
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Ordering number : EN6307C2SA2013/2SC5566Bipolar Transistorhttp://onsemi.com(-)50V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCPApplicaitons Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flashFeatures Adoption of FBET and MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching Ultrasmall package facilitales mini

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