2N812 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N812
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
Paquete / Cubierta: U9
Otros transistores... 2N805 , 2N806 , 2N807 , 2N808 , 2N809 , 2N81 , 2N810 , 2N811 , TIP122 , 2N813 , 2N814 , 2N815 , 2N816 , 2N817 , 2N818 , 2N819 , 2N82 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050