3CD1290 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD1290
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 12 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO220F
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3CD1290 datasheet
3cd1290.pdf
2SB1290(3CD1290) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General power amplifier applications. , , , 2SD1833(3DD1833) Features Low V ,excellent DC current gain characteristics, wide SOA, complements the CE(sat) 2SD1833(3DD1833). /A
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History: 2SA866 | 2N1158A | X1049A | GT322A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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