3CD3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD3
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO257
Búsqueda de reemplazo de 3CD3
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
3CD3 datasheet
3cd3.pdf
3CD3 PNP A B C D E F G H PCM TC=25 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V / Rth 15 IC=0.3A W V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=3mA 3.0 V ICEO VCE=20V 2.0 mA A E IC=0.5A IB=0.1A VCEsa
zx3cd3s1m832 3s1.pdf
ZX3CD3S1M832 MPPS Miniature Package Power Solutions 40V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL SUMMARY PNP Transistor VCEO =-40V; RSAT = 104m ; = -3A C Schottky Diode VR = 40V; VF = 500mV (@1A); IC=1A DESCRIPTION Packaged in the new innovative 3mm x 2mm MLP this combination dual comprises an ultra low saturation PNP transistor and a 1A Schottky ba
zx3cd3s1m832.pdf
ZX3CD3S1M832 MPPS Miniature Package Power Solutions 40V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL SUMMARY PNP Transistor VCEO =-40V; RSAT = 104m ; = -3A C Schottky Diode VR = 40V; VF = 500mV (@1A); IC=1A DESCRIPTION Packaged in the new innovative 3mm x 2mm MLP this combination dual comprises an ultra low saturation PNP transistor and a 1A Schottky ba
3cd32b.pdf
TIP32(3CD32) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP31(3DD31) Features Complement to TIP31(3DD31). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP32 -40 V -5.
Otros transistores... 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094, 3CD1290, 3CD1375, 3CD150, 3CD205, 8050, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42, 3CD438, 3CD4399
History: BLX80
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260







