3CG1013T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1013T

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 35 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT89

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3CG1013T datasheet

 ..1. Size:248K  lzg
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3CG1013T

2SA1013T(3CG1013T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , /Purpose Color TV vert.and class B sound output applications. , , 2SC2383T(3DG2383T) /Features High voltage, large continuous collector current capability, Complementary pair with 2SC2383T(3DG2383T). /Absolute maximum rat

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3CG1013T

3CG1013 PNP PCM TA=25 0.9 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A IEBO VEB=5V 0.5 A VBEsat 1.5 IC=500mA V IB=50mA

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3CG1013T

2SA1015(3CG1015) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , /Purpose Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. , , h , , 2SC1815(3DG1815) FE Features High voltage and high current, excellent h linearity, low noise, FE complementary p

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3CG1013T

2SA1018(3CG1018) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General amplifier. , 2SC1473(3DG1473) Features High V , Complementary pair with 2SC1473(3DG1473). CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -250 V CBO V -200 V CEO V -5.0 V EBO I -7

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