3CG1316 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1316

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO92

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3CG1316 datasheet

 ..1. Size:182K  lzg
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3CG1316

2SA1316(3CG1316) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low noise audio amplifier applications. , , 2SC3329(3DG3329) Features Low rbb , low noise figure, complementary pair with 2SC3329(3DG3329). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 8.1. Size:121K  china
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3CG1316

3CG131 PNP A B C D E PCM Tc=75 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VE

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3CG1316

2SA1317(3CG1317) PNP /SILION PNP TRANSISTOR Purpose Capable of being used in the low frequency to high frequency range. /Features Large current capacity and wide ASO. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit

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3CG1316

3CG130 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 65 80 95 110 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 90 105 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1

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