3CG1981 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1981

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 19 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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3CG1981 datasheet

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3CG1981

2SA1981(3CG1981) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio power amplifier application. 2SC5344(3DG5344) Features High h , complementary pair with 2SC5344(3DG5344). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30 V C

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3CG1981

2SA1981S(3CG1981M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio power amplifier application. 2SC5344S(3DG5344M) Features High h , complementary pair with 2SC5344S(3DG5344M). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30

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3CG1981

2SA1980(3CG1980) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General small signal amplifier applications. 2SC5343(3DG5343) Features Low V ,low output capacitance, complementary pair with 2SC5343(3DG5343). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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3CG1981

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