3CG2905 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG2905
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG2905
3CG2905 Datasheet (PDF)
3cg2905.pdf
3CG2905 PNP PCM TA=25 600 mW ICM 600 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.02 A IC=150mA VCEsat 0.4 V IB=15mA VCE=10V hFE 35 IC=1mA VCE=5V
3cg2907a.pdf
3CG2907A(BT2907A) PNP PCM TA=25 225 mW ICM 600 mA Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 0.01 A IEBO VEB=5.0V 0.1 A VBEsat 0.4 IC=150mA V IB=15mA VCEsat
3cg2907.pdf
3CG2907 PNP PCM 400 mW ICM 600 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 65 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=2V 0.2 A VBEsat 1.0 IC=30mA V IB=3mA VCEsat
3cg298.pdf
2SA298(3CG298) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,/Purpose: Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. :,, h , FEFeatures: High voltage and high current, excellent h linearity, low noise. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)
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History: ESM2070D
History: ESM2070D
Liste
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