3CG56 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG56

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92 SOT23 SOT223

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3CG56 datasheet

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3CG56

3CG56 PNP TO-92 SOT-23 SOT-223 PCM TA=25 mW 625 350 1000 Rj-a TA>25 5.0 2.8 8.0 mW/ ICM 0.5 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V ICBO IEB=0.1mA 4 A ICEO VCB=80V 0.1 A IEBO VCE=60V 0.1 A

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3CG56

3CG560 PNP PCM TA=25 500 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 450 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 450 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=360V 0.1 A ICEO VCE=360V 0.1 A IEBO VEB=5.0V 0.1 A VBEsat 0.9 IC=50mA V I

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3CG56

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3CG56

2SA562M(3CG562M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h , 2SC1959M(3DG1959M) FE Features Excellent h linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). FE

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