3CG817A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG817A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92LM
- Selección de transistores por parámetros
3CG817A Datasheet (PDF)
3cg817a.pdf

2SA817A(3CG817A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SC1627A(3DG1627A) Purpose: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SC1627A(3DG1627A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
3cg812.pdf

2SA812(3CG812) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency amplifier application . : 2SC1623(3DG1623)/Features: Complementary pair with 2SC1623(3DG1623). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: HN4C08J | 2N6653-2 | 2N3927 | IMT1A | BCW31LT3 | 2SB736AR | 2N756
History: HN4C08J | 2N6653-2 | 2N3927 | IMT1A | BCW31LT3 | 2SB736AR | 2N756



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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