3CG817A Todos los transistores

 

3CG817A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG817A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92LM
 

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3CG817A Datasheet (PDF)

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3CG817A

2SA817A(3CG817A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SC1627A(3DG1627A) Purpose: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SC1627A(3DG1627A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:148K  lzg
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3CG817A

2SA812(3CG812) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency amplifier application . : 2SC1623(3DG1623)/Features: Complementary pair with 2SC1623(3DG1623). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -100 mA C

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SEBT8050-D | 2N4052 | LBC550AP | 3CG562TM

 

 
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