3CG953M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG953M
Código: H53M_H53L_H53K
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT23
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3CG953M datasheet
3cg953m.pdf
2SA953M(3CG953M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier and driver stage. ,h ,V /Features High total power dissipation, high h and FE FE CEO high V . CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit
3cg953.pdf
2SA953(3CG953) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier and driver stage. ,h ,V /Features High total power dissipation, high h and FE FE CEO high V . CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit
3cg952.pdf
2SA952(3CG952) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. ,h ,V /Features High total dissipation, high h and low V . FE CE(sat) FE CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )
3cg950.pdf
2SA950(3CG950) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency power amplifier. h , 1W , 2SC2120(3DG2120) FE Features High h ,1W output applications, Complementary pair with 2SC2120(3DG2120). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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