3DD05 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD05
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO276AB TO220 TO257
Búsqueda de reemplazo de 3DD05
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
3DD05 datasheet
3dd05.pdf
3DD05(3DF05) NPN A B C D E F G PCM Tc=75 5 W ICM 0.7 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 20 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 450 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 110 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 6.0 V A-D
3dd05t.pdf
3DD05T(DD05T) NPN PCM TC=75 30 W ICM 6 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=2mA 100 V V(BR)CEO ICE=2mA 60 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=50V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat
Otros transistores... 3CK301, 3CK304, 3CK35, 3CK4, 3CK5323, 3CK9, 3DD03T, 3DD04T, BC327, 3DD05T, 3DD1, 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102, 3DD103, 3DD104
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent


